Nicht ganz unbeteiligt an solchen Situationen sind nicht nur Battery Brutus, Fiona Freeze und Loading Ball Larry sondern auch die verbauten Speicherbausteine, sei es nun in Form von Arbeitsspeicher (RAM) oder als Datenspeicher (Festplatte, Speicherkarte). Dabei gilt wie bei CPU’s das Kredo: Je kleiner und feiner die Strukturen, desto weniger Strom wird verbraucht und weniger Latenzen treten auf. Einer der ganz Großen in diesem Geschäft ist unter anderem Samsung, welche Speicherlösungen für nahezu alle Elektronikgeräte im Sortiment haben.
Neben Speicherbausteinen für Arbeitsspeicher nach dem LPDDR2 und LPDDR3-Verfahren, bietet der südkoreanische Konzern zudem SSD Festplatten an. Derzeit wird überwiegend LPDDR2 (Low Power Double Data Rate) RAM in Smartphones und Tablets verbaut, welcher mit 533 MHz Taktfrequenz (LPDDR2-1066) und einem Datendurchsatz von bis zu 4,3 GByte/Sekunde zu Werke geht. Die meisten ARM-SoC’s verkraften jedoch nur LPDDR2-800, welcher bei 400 MHz eine Durchsatzrate von bis zu 3,2 GByte/Sekunde hat. Der Nachfolge-Standard LPDDR3 bietet bei geringerem Stromverbrauch zudem eine höhere Leistung, da LPDDR3-1600 bis zu 6,4 GByte/Sekunde an Daten über die Datenleitungen schaufeln kann. Hergestellt werden die bis zu 4 GBit großen Speicherbausteine im modernen 20nm-Verfahren, wobei die Hersteller schon länger keine genaueren Angaben zur Strukturbreite mehr herausgeben.
Aber nicht nur in Sachen Leistung und Stromverbrauch profitiert man als Nutzer von Samsung Memory, auch die Gehäusedicke nimmt dadurch ab. Zum Vergleich: LPDDR2 kann doppelt so viel an Daten aufnehmen wie der Vorgänger LPDDR1 auf demselben Raum und das bei gleicher Bauhöhe. Das heißt im Umkehrschluss, dass mehr Leistung bei weniger Platzverbrauch zur Verfügung steht.
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