Samsung Galaxy S10: Flash-Speicher mit 1 Terabyte vorgestellt
Aktuellen Gerüchten zufolge wird Samsung am 20. Februar auch ein Galaxy S10+ mit einer Keramik-Rückseite und 1 Terabyte Datenspeicher präsentieren. Heute stellt uns das Unternehmen schon einmal den schnellen Universal Flash-Speicher der fünften Generation vor, der vermutlich in dem neuen Smartphone seinen Platz finden wird.
Der interne Programmspeicher wird zunehmend zu eines der wichtigsten Kaufkriterien. Wenngleich uns fast überall die Möglichkeit geboten wird, Daten, wie hauptsächlich Fotos und Musik in einer Cloud zu speichern, so kostet es uns dennoch eine schnelle Datenverbindung und Vertrauen. Samsung hat heute die mit Spannung erwartete Terabyte-Schwelle beim Speichern von Smartphones überschritten. 
Hersteller wie Google verzichten bei ihren Smartphones beispielsweise komplett auf eine Erweiterung ihres fest verbauten Speichers via microSD-Karte. Der Grund liegt in der schnelleren Datenübertragung zu dem UFS-Speicher. Dieser ist bis zu 10-mal so schnell wie das Speichern auf eine Speicherkarte (1.000 MB / s).
Es wird erwartet, dass der 1 Terabyte-UFS eine entscheidende Rolle spielen wird, um der nächsten Generation mobiler Geräte eine mehr Notebook-ähnliche Benutzererfahrung zu bieten. Darüber hinaus ist Samsung bestrebt, die zuverlässigste Lieferkette und angemessene Produktionsmengen sicherzustellen, um die rechtzeitige Markteinführung aufkommender Flaggschiff-Smartphones bei der Beschleunigung des Wachstums des globalen Mobilfunkmarktes zu unterstützen, so Cheol Choi, EVP von Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics.
1 Terabyte UFS-Speicher mit identischer Größe
Samsung hat es nun ermöglicht, innerhalb der selben Baugröße (11,5 mm x 13,0 mm), durch 16 gestapelte Schichten und der Kombination von V-NAND-Flashspeicher und einem neu entwickelten proprietären Speicher, eine 1-Terabyte-eUFS-Lösung zu präsentieren. Damit kann der Smartphone Nutzer nun 260 10-minütige Videos im 4K-UHD-Format (3.840 × 2.160) speichern, wenn er es denn möchte.
